2017年10月31日，由深圳市科學技術協會指導，南方科技大學、深圳市坪山區人民政府、深圳青銅劍科技股份有限公司共同主辦的“中歐第三代半導體高峰論壇”在深圳五洲賓館成功舉行。活動邀請到來自中國和歐洲從事碳化硅、氮化鎵等第三代半導體技術的200多位專家學者和產業界人士出席，是本行業的重量級盛會。
論壇由深圳基本半導體有限公司、深圳市第三代半導體器件重點實驗室、深圳中歐創新中心承辦，并得到深圳清華大學研究院、力合科創集團、深圳市千人專家聯合會、深圳方正微電子有限公司大力支持。
深圳市人大常委會副主任、深圳市科學技術協會主席蔣宇揚出席并致歡迎辭，介紹了深圳科技發展的優異成績以及對第三代半導體產業的扶持，希望廣大科技企業與科技工作者緊抓時代脈搏，進一步加大研發投入、加強國際合作，助力第三代半導體產業快速發展。蔣宇揚在論壇開始前會見了瑞典皇家工程科學院副院長白瑞楠（Magnus Breidne）、瑞典皇家理工學院常務副校長Mikael ?stling、瑞典國家研究院通信及微電子研究所所長Peter Bj?rkholm、英國劍橋大學教授Patrick Palmer等歐洲嘉賓，他介紹深圳市科技創新、產業發展、人才培養等方面的情況，就瑞典方面與南方科技大學開展科研合作、聯合培養研究生計劃，以及深圳在瑞典設立海外創新中心等議題進行探討，希望瑞典方面加強與深圳的科技交流與合作。
近年來，以碳化硅、氮化鎵等寬禁帶化合物為代表的第三代半導體材料引發全球矚目。由于其具有禁帶寬、擊穿電場強度高、飽和電子遷移率高、熱導率大、介電常數小、抗輻射能力強等優點，可廣泛應用于新能源汽車、軌道交通、智能電網、半導體照明、新一代移動通信、消費類電子等領域，被視為支撐能源、交通、信息、國防等產業發展的核心技術，全球市場容量未來將達到百億美元，已成為美國、歐洲、日本半導體行業的重點研究方向之一。
2015年5月8日，在國務院印發《中國制造2025》中4次提到以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體功率器件，可見第三代半導體行業在國民經濟發展中的重要地位。目前我國在第三代半導體材料研究上一直緊跟世界前沿，是世界上為數不多的碳化硅材料襯底，材料外延產業化的國家。在第三代半導體器件設計和制造工藝方面也在向世界先進水平邁進。
此次高峰論壇在深圳順利召開，為中國與瑞典、英國等知名院校、科研機構、創新企業之間搭建了國際交流的平臺，將進一步推動各方開展學術交流和科研合作，建立長期伙伴關系，促進我國第三代半導體行業快速發展。
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